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  Vishay BRCPA9500BKGHWS薄膜條形MOS電容器 2024-10-22 08:57:02

  Vishay BRCP系列薄膜條形MOS電容器采用堅固MOS結(jié)構(gòu)，具有低介電損耗和高Q值，支持多種線焊點，A型外殼最少7個焊點，B型外殼最少15個焊點，且負(fù)載壽命穩(wěn)定性出色。其關(guān)鍵優(yōu)勢包括絕對容差低至±5%，溫度系數(shù)低至±50ppm/°C。應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，包括混合組裝、濾波器、射頻阻斷、阻抗匹配和高頻/高功率應(yīng)用。電氣規(guī)格涵蓋電容范圍5-100pF，工作溫度-55至+150°C，最大工作電壓100V。機械規(guī)格方面，芯片基板為硅，介質(zhì)為二氧化硅，頂部覆蓋層為至少1微米厚的金，外殼尺寸和焊盤數(shù)量符合特定要求。

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  Vishay SI3495DV-T1-GE3 P通道MOSFET 2024-06-18 09:12:31

  SI3495DV-T1-GE3 P通道MOSFET是Vishay生產(chǎn)的Si3495DV系列產(chǎn)品，采用TSOP-6封裝，8引腳，標(biāo)識為Dgume Number 1 73350。規(guī)格包括2.5 V至5.5 V工作電壓，1000 V DC耐壓，200mA/100mΩ電流容量，2 MHz開關(guān)頻率，1.0 kΩ/1000 V DC絕緣電阻。具備滿足多種電路設(shè)計和應(yīng)用需求的特性和優(yōu)勢。