Vishay SI3495DV-T1-GE3 P通道MOSFET
發(fā)布時間:2024-06-18 09:12:31 瀏覽:366
SI3495DV-T1-GE3 P通道MOSFET是一款由Vishay 公司生產(chǎn)的電子元件,屬于Si3495DV系列。這款MOSFET采用了TSOP-6封裝類型,具有8個引腳,并以其獨特的引腳排列方式(Dgume Number 1 73350)進(jìn)行標(biāo)識。其主要規(guī)格包括:工作電壓范圍為2.5 V至5.5 V,耐壓能力達(dá)到1000 V DC,電流容量為200mA/100mΩ,開關(guān)頻率為2 MHz,絕緣電阻最小值為1.0 kΩ/1000 V DC。此外,該MOSFET還具備其他典型的特性和應(yīng)用優(yōu)勢,滿足各種電路設(shè)計和應(yīng)用的需求。
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA=25 ℃,unless otherwise noted | |||||
Paramete | Symbol | 5 s | Steady State | Unit | |
Drain-Source Voltage | Vps | -20 | V | ||
Gate-Source Voltage | Vgs | ±5 | |||
Continuous Drain Current (Tj=150 ℃)2 | TA=25 ℃ | lb | -7 | -5.3 | A |
TA=85℃ | -3.6 | -3.9 | |||
Pulsed Drain Curren | DM | -20 | |||
Continuous Source Current (Diode Conduction) | ls | -1.7 | -0.9 | ||
Maximum Power Dissipationa | TA=25℃ | Po | 2.0 | 1.1 | W |
TA=85 ℃ | 1.0 | 0.6 | |||
Operating Junction and Storage Temperature Range | TJT | -55 to 150 | ℃ | ||
THERMAL RESISTANCE RATINGS | |||||
Parameter | Symbol | Typical | Maximum | Unit | |
Maximum Junction-to-Ambienta | t≤5s | RmIA | 45 | 62.5 | C/W |
Steady State | 90 | 110 | |||
Maximum Junction-to-Foot (Drain) | Steady State | RmJF | 25 | 30 |
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