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Vishay BRCPA9500BKGHWS薄膜條形MOS電容器

發(fā)布時間:2024-10-22 08:57:02     瀏覽:214

Vishay BRCP系列薄膜條形MOS電容器

  一、產(chǎn)品特點

  1. 采用堅固MOS結(jié)構(gòu)。

  2. 允許多個線焊點,A型外殼最少可接受7個焊點,B型外殼最少可接受15個焊點。

  3. 低介電損耗(D),高Q值,且負(fù)載壽命穩(wěn)定性出色。

  二、關(guān)鍵優(yōu)勢

  1. 絕對容差低至±5%。

  2. 溫度系數(shù)低至±50ppm/°C。

  3. 具備堅固MOS結(jié)構(gòu),兩種外殼尺寸(120 x 35 mils和240 x 35 mils)均支持多次線焊(A型外殼最少7個焊點,B型外殼最少15個焊點),且負(fù)載壽命穩(wěn)定性出色。

  三、應(yīng)用領(lǐng)域

  1. 混合組裝。

  2. 低通LC、RC或LRC濾波器。

  3. 直流供電的射頻阻斷。

  4. 阻抗匹配。

  5. SiC或GaN高頻/高功率應(yīng)用。

  四、電氣規(guī)格

  1. 電容范圍:5 - 100pF。

  2. 1kHz下絕對容差:±5%; -55°C至125°C絕對溫度系數(shù):±50ppm/°C。

  3. 工作溫度:-55至+150°C;最大工作電壓:100V。

  4. 1MHz下介電損耗因數(shù)最大為0.01。

  5. 1kHz、1000小時、70°C、100VDC下絕對值穩(wěn)定性:±0.25%;

  額定電壓2倍、25°C、5秒短時間過載:±0.25%;

  按MIL - STD - 202方法107F熱沖擊:±0.25%;

  按MIL - STD - 202方法106*耐濕性:±0.25%;

  100小時、150°C高溫暴露:±0.25%;

  -65°C、45分鐘、100VDC低溫操作:±0.25%。

  五、機(jī)械規(guī)格

  1. 芯片基板材料為硅;介質(zhì)為二氧化硅。

  2. 頂部覆蓋層為至少1微米厚的金。

  3. 外殼尺寸見“外殼尺寸值和公差”表;無鈍化。

  4. 焊盤數(shù)量為1;背面覆蓋層(僅限環(huán)氧樹脂)為TiW/Au。

訂購指南:

Vishay BRCP系列薄膜條形MOS電容器訂購指南

型號:

BRCPBKITO1

BRCPAKIT01

BRCPA9500BKGHWS

BRCPA8500BKGHWS

BRCPA8000BKGHWS

BRCPA7500CKGHWS

BRCPA6500CKGHWS

BRCPA7000BKGHWS

BRCPB5500BKGHWS

BRCPB2500BKGHWS

BRCPA2750BKGHWS

BRCPA2500BKGHWS

BRCPA2250BKGHWS

BRCPA2000BKGHWS

BRCPA1750BKGHWS

BRCPA1500BKGHWS

BRCPA1300BKGHWS

BRCPA1250BKGHWS

BRCPA1000BKGHWS

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