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CWX813,CWX815,CWX823,CWX825表面貼裝CMOS時(shí)鐘振蕩器Connor Winfield

2024-11-08 09:22:56

CWX8xx系列固定頻率晶體控制振蕩器采用5.0x7.0mm表面貼裝封裝，適用于高頻率穩(wěn)定性和低抖動應(yīng)用，工作電壓為3.3V或5.0V，頻率穩(wěn)定性為±25ppm或±50ppm，溫度范圍為-20至70°C，頻率范圍為1.0至156.25MHz，負(fù)載電容為15pF（LVCMOS）或50pF（HCMOS），存儲溫度為-55至125°C，采用密封陶瓷封裝，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無鉛焊接。

IRLML6401TRPBF：12V單通道P溝道功率MOSFET

2024-11-08 09:15:26

IRLML6401TRPBF是一款由英飛凌科技推出的12V單P溝道功率MOSFET，采用SOT-23封裝，專為低功耗和低頻率應(yīng)用設(shè)計(jì)，具備寬廣的安全工作區(qū)域、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證、低頻應(yīng)用中的高性能等特點(diǎn)，適用于DC開關(guān)、負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用，技術(shù)規(guī)格包括最大漏極電流-4.3A、導(dǎo)通電阻最大50mΩ等，非常適合電源管理、電機(jī)控制和電池供電設(shè)備。

Ampleon C5H3438N110D功率GaN晶體管3.3-5.0GHz

2024-11-07 09:03:57

Ampleon C5H3438N110D是一款110W GaN Doherty射頻功率晶體管，專為3400 MHz至3800 MHz頻率范圍內(nèi)的基站應(yīng)用設(shè)計(jì)。其特點(diǎn)包括緊湊的8 mm x 8 mm QFN封裝、5G mMIMO優(yōu)化、高效率Doherty配置、寬帶操作、內(nèi)部匹配設(shè)計(jì)以及優(yōu)秀的數(shù)字預(yù)失真能力。適用于多載波應(yīng)用，提供高帶寬和高數(shù)據(jù)速率，技術(shù)參數(shù)包括110W名義輸出功率、48V漏源電壓、13.6至15 dB功率增益和55%至62%的漏極效率。

Vishay CBA系列薄膜二進(jìn)制MOS電容器

2024-11-06 09:09:59

Vishay CBA系列MOS電容器有兩種總電容版本，電容以二進(jìn)制增量在0.25 pF - 15 pF間配置，提供多種選擇。該電容器可線焊，采用特定介質(zhì)和基板，尺寸小，用于微波電路混合封裝。其電氣規(guī)格涵蓋工作電壓、損耗因數(shù)、Q值、溫度系數(shù)和工作溫度范圍等。

Broadcom PEX88048：50通道PCIe Gen 4.0交換機(jī)

2024-11-05 09:06:19

Broadcom PEX88048是一款高性能PCIe Gen 4.0交換機(jī)，具備50個(gè)通道和端口，支持高速數(shù)據(jù)傳輸、低延遲和靈活的fabric拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，特別適合數(shù)據(jù)中心和云服務(wù)提供商。它具備嵌入式ARM CPU、ExpressFabric架構(gòu)、48個(gè)DMA通道、消除PCIe拓?fù)湎拗啤镹VMe AFA系統(tǒng)設(shè)計(jì)、生命周期活躍功能、雙管理端口、低功耗SerDes等特性，旨在構(gòu)建高性能、低延遲、可擴(kuò)展的PCIe fabrics。

Q-TECH QTCV356系列小型化SMD電壓控制晶體振蕩器

2024-11-04 09:04:41

QTCV356系列VCXOs（壓控晶體振蕩器）是一款集成了5Vdc或3.3Vdc時(shí)鐘方波發(fā)生器和微型條形AT石英晶體的低高度陶瓷封裝振蕩器，適用于低電壓應(yīng)用。其主要特性包括寬頻率范圍（1.000MHz到156.250MHz）、小尺寸（3.2 x 5mm）、支持HCMOS、LVHCMOS、LVPECL邏輯類型、5.0Vdc或3.3Vdc供電電壓、-40oC到+85oC的工作溫度范圍、Tri-State輸出、密封陶瓷封裝、基本和第三泛音設(shè)計(jì)、符合MIL-PRF-55310標(biāo)準(zhǔn)的軍事級篩選測試，以及無鉛和RoHS合規(guī)。該系列產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于槍械發(fā)射彈藥和系統(tǒng)、智能彈藥、儀器儀表、以太網(wǎng)/同步、SONET、微處理器時(shí)鐘等領(lǐng)域。

Delta HCME1012(F)系列電感器

2024-11-01 09:35:05

Delta的HCME1012(F)系列電感器在電子設(shè)計(jì)中發(fā)揮關(guān)鍵作用，適用于電源管理、信號過濾等領(lǐng)域。該系列提供70 nH至330 nH的電感值，低直流電阻（33 mΩ）、高飽和電流（178 A），工作溫度范圍寬（-40℃至125℃），精度±10%至±15%。其緊湊尺寸（10.0x6.0~6.2x12.0mm）和嚴(yán)格的質(zhì)量控制確保了在多種應(yīng)用中的高效率和可靠性。

Bliley高性能BOCSE系列非PLL晶體振蕩器

2024-11-01 09:23:34

Bliley的BOCSE系列非PLL晶體振蕩器穩(wěn)定性和精確度高，符合高端市場需求，適用于軍事、儀器儀表等多領(lǐng)域。它采用2.5x2.0mm封裝，符合軍用標(biāo)準(zhǔn)，頻率1.5 - 170MHz，溫度穩(wěn)定性±25 - ±100ppm，電源電壓多樣，工作溫寬（-55°C - +125°C）。具有響應(yīng)快、輸出穩(wěn)、相位噪聲和抖動低等性能，通過多項(xiàng)測試且包裝安全。

LS94,SST94單通道P溝道JFET開關(guān)Linear Systems

2024-11-01 09:18:08

LS94和SST94是Linear Systems公司生產(chǎn)的單通道P溝道JFET開關(guān)，專為超低噪聲音頻/聲學(xué)應(yīng)用設(shè)計(jì)，可直接替代Toshiba 2SJ94。它們具有高跨導(dǎo)（22 mS）、高輸入阻抗（1 nA）、低電容（32 pF）和多種封裝形式（TO-92、SOT-89、裸片）。電氣特性包括柵極到漏極擊穿電壓25V、柵極到源極開啟電壓0.15V至2V、漏源飽和電流-30 μA至-2.6 mA等。這些特性使得LS94和SST94成為高增益放大應(yīng)用中的理想選擇，尤其在高輸入阻抗和低噪聲需求場合。

X-1620NL SMT信號隔離變壓器iNRCORE

2024-10-31 09:02:02

iNRCORE X-1620NL是一款專為惡劣環(huán)境設(shè)計(jì)的小尺寸信號隔離表面貼裝變壓器，具備高隔離電壓（至少3kVrms）、寬工作溫度范圍（-55°C至+125°C）、耐用材料（錫/鉛結(jié)構(gòu)）和濕度敏感性等級3級。其電氣規(guī)格包括匝比1CT:1CT（±2%精度）、初級電感至少1mH、最大0.8Ω直流電阻、最大1.2mH漏感、最大25pF繞組間電容和最大10pF初級電容。物理特性為1.16g重量和10.03 × 8.89 × 6.85mm尺寸，適合空間受限的應(yīng)用。該變壓器在高溫、濕度和高電壓隔離方面表現(xiàn)卓越，適用于工業(yè)控制、汽車電子和通信設(shè)備等高環(huán)境適應(yīng)能力需求場景。

Ampleon ART1K6PH LDMOS功率晶體管1600W

2024-10-31 08:59:06

Ampleon的ART1K6PH LDMOS射頻功率晶體管是一款專為工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療(ISM)應(yīng)用、廣播和通信市場設(shè)計(jì)的1600W高功率器件，頻率范圍覆蓋1MHz至450MHz。其核心特性包括高擊穿電壓、寬帶操作、簡易功率控制、集成ESD保護(hù)以及高效率與熱穩(wěn)定性，適用于等離子體發(fā)生器、MRI系統(tǒng)、粒子加速器、FM無線電、VHF電視、非蜂窩通信和UHF雷達(dá)系統(tǒng)等多種應(yīng)用。技術(shù)參數(shù)顯示其在高功率輸出下具有優(yōu)異的功率增益和漏極效率，封裝形式為OMP-1230-4F-1，支持回流/波峰焊接。

Statek SWCX4V/SWCX4石英晶體

2024-10-30 09:23:55

Statek公司的SWCX4V和SWCX4晶體專為抗輻射應(yīng)用設(shè)計(jì)，采用高溫電掃工藝的培養(yǎng)石英，能耐受超過100 krad的輻射劑量，保持頻率穩(wěn)定。特點(diǎn)包括高沖擊電阻、超高可靠性、客戶定制設(shè)計(jì)、低老化率、嚴(yán)格的無塵室生產(chǎn)工藝，適用于軍用和航天級應(yīng)用，如衛(wèi)星系統(tǒng)、太空探索任務(wù)和深空探測器。

Connor-Winfield 93600-XXXX系列表面貼裝高頻VCXO

2024-10-30 09:00:38

Connor-Winfield 93600-xxxx系列是一款5.0 x 3.2mm高頻基頻表面貼裝晶體，專為高頻VCXO設(shè)計(jì)，適用于大規(guī)模生產(chǎn)。其特點(diǎn)包括溫度穩(wěn)定性±25ppm，工作溫度范圍-40至85°C，中心頻率70-300 MHz，并聯(lián)電容5.0 pF，動態(tài)電容4.0 fF，等效串聯(lián)電阻25 Ohm，負(fù)載電容20 pF，驅(qū)動電平100 μW，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

FMCE-1528 EMI濾波器Interpoint

2024-10-30 08:56:33

Interpoint? FMCE-1528 EMI濾波器專為降低高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器的輸入紋波電流設(shè)計(jì)，符合軍用標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-461C/D/E/F。它在緊湊封裝中提供高達(dá)15A的電流，工作溫度范圍為-55°C至+125°C，輸入電壓范圍為0.5至50V，能有效減少500 kHz和1 MHz時(shí)的噪聲，典型衰減達(dá)70 dB。

BFP196WH6327XTSA1低噪聲硅RF晶體管Infineon英飛凌

2024-10-28 09:01:28

BFP196WH6327XTSA1是一款低噪聲硅射頻(RF)晶體管，適用于高頻率和低噪聲放大應(yīng)用，如無線通信、射頻前端和多種通信設(shè)備。其關(guān)鍵特性包括集電極電流范圍20-80mA、頻率高達(dá)1.5GHz、低噪聲和低失真、無鉛環(huán)保、AEC-Q101認(rèn)證等。參數(shù)如最大增益19dB、最大集電極電流150mA、最小噪聲系數(shù)1.3dB、封裝SOT343等，使其特別適合高線性和高效率的射頻放大器設(shè)計(jì)。

Solitron碳化硅電源模塊

2024-10-28 08:58:35

Solitron公司的硅碳化物（SiC）半導(dǎo)體功率模塊，用于提升電源應(yīng)用多方面性能。有多種關(guān)鍵特性，產(chǎn)品系列多樣，包括半橋、全橋和PowerMOD系列，應(yīng)用于開關(guān)模式電源、逆變器、電池充電器、執(zhí)行器和電機(jī)控制等領(lǐng)域。

Solitron雙極功率晶體管40-700V

2024-10-25 08:57:30

Solitron公司是一家擁有50多年歷史的領(lǐng)先雙極型功率晶體管制造商，產(chǎn)品覆蓋40V至700V的電壓范圍，包括N溝道和P溝道類型，符合JAN/JANTX/JANTXV標(biāo)準(zhǔn)，并提供S級等效篩選服務(wù)和定制封裝配置。適用于電源管理、電機(jī)控制、音頻放大器等多種電子應(yīng)用，封裝選項(xiàng)包括TO-3、TO-5、TO-39、TO-66、TO-111(帶引腳)、TO-254、TO-257和TO-258等，以及定制化的有引線或無引線的表面貼裝封裝。

Lattice ispMACH 4000ZE系列超低功耗可編程邏輯器件（CPLD）

2024-10-24 09:02:46

Lattice的ispMACH 4000ZE系列是一款1.8V在系統(tǒng)可編程超低功耗可編程邏輯器件(CPLD)，專為功耗敏感的消費(fèi)類電子應(yīng)用設(shè)計(jì)。該系列具備高性能（最大工作頻率260MHz，傳播延遲4.4ns）、易用性（靈活的宏單元和全局控制）、超低功耗（待機(jī)電流10μA）和廣泛的設(shè)備選擇（宏單元數(shù)量32至256）。此外，它支持多種I/O電壓、熱插拔、可編程輸出斜率，并符合IEEE 1149.1和1532標(biāo)準(zhǔn)，適用于系統(tǒng)集成和自動化測試。

SM1553系列數(shù)據(jù)總線脈沖變壓器VANGUARD ELECTRONICS

2024-10-23 09:36:18

Vanguard Electronics的SM1553系列數(shù)據(jù)總線脈沖變壓器是為軍事和航空領(lǐng)域設(shè)計(jì)的高可靠性組件，符合MIL-STD-1553標(biāo)準(zhǔn)，具備優(yōu)異的電氣性能和環(huán)境適應(yīng)性。這些變壓器采用緊湊的低輪廓設(shè)計(jì)，支持自動貼裝，提供多種變比選項(xiàng)，并具有耐濕、耐震和耐浸水的特性，能夠在-55°C至+125°C的寬溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。SM1553系列還提供定制設(shè)計(jì)服務(wù)，以滿足特定應(yīng)用需求，確保在嚴(yán)苛環(huán)境中的長期穩(wěn)定運(yùn)行。

Vishay BRCP系列薄膜條形MOS電容器

2024-10-22 08:57:02

Vishay BRCP系列薄膜條形MOS電容器采用堅(jiān)固MOS結(jié)構(gòu)，具有低介電損耗和高Q值，支持多種線焊點(diǎn)，A型外殼最少7個(gè)焊點(diǎn)，B型外殼最少15個(gè)焊點(diǎn)，且負(fù)載壽命穩(wěn)定性出色。其關(guān)鍵優(yōu)勢包括絕對容差低至±5%，溫度系數(shù)低至±50ppm/°C。應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，包括混合組裝、濾波器、射頻阻斷、阻抗匹配和高頻/高功率應(yīng)用。電氣規(guī)格涵蓋電容范圍5-100pF，工作溫度-55至+150°C，最大工作電壓100V。機(jī)械規(guī)格方面，芯片基板為硅，介質(zhì)為二氧化硅，頂部覆蓋層為至少1微米厚的金，外殼尺寸和焊盤數(shù)量符合特定要求。