Solitron Devices 2N2880軍標(biāo)級(jí)NPN功率晶體管
發(fā)布時(shí)間:2025-02-25 09:17:16 瀏覽:112
2N2880是一款由Solitron Devices公司生產(chǎn)的NPN型功率晶體管,采用TO-59封裝形式。它具有低導(dǎo)通電阻、低飽和電壓、低漏電流和低驅(qū)動(dòng)需求等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于高壓逆變器、轉(zhuǎn)換器、開關(guān)穩(wěn)壓器和線路驅(qū)動(dòng)放大器等設(shè)備中。
2. 主要特性
符合軍用標(biāo)準(zhǔn):符合MIL-PRF-19500/315標(biāo)準(zhǔn),適用于高可靠性應(yīng)用。
低導(dǎo)通電阻:降低功率損耗,提高效率。
低飽和電壓:在高電流下保持低電壓降。
高頻率響應(yīng)與快速切換:適用于高頻開關(guān)應(yīng)用。
高電流增益:提供穩(wěn)定的電流放大能力。
安全工作區(qū)域:在高電壓和高電流條件下保持穩(wěn)定運(yùn)行。
高頻應(yīng)用:適用于開關(guān)電源和高頻逆變器。
3. 電氣參數(shù)
參數(shù) | 符號(hào) | 最小值 | 最大值 | 單位 |
集電極-發(fā)射極擊穿電壓 | V(BR)CEO | - | 80 | Vdc |
集電極-基極擊穿電壓 | V(BR)CBO | - | 110 | Vdc |
發(fā)射極-基極擊穿電壓 | V(BR)EBO | - | 8 | Vdc |
集電極-發(fā)射極截止電流 | ICEO | - | 20 | μA |
發(fā)射極-基極截止電流 | IEBO | - | 0.2 | μA |
正向電流傳輸比 | hFE | 40 | 120 | - |
集電極-發(fā)射極飽和電壓 | VCE(sat) | 0.25 | 1.5 | Vdc |
基極-發(fā)射極飽和電壓 | VBE(sat) | - | 1.2 | Vdc |
熱阻 | RθJC | - | 3.33 | °C/W |
輸出電容 | Cobo | - | 150 | pF |
脈沖上升時(shí)間 | tr | - | 300 | ns |
脈沖下降時(shí)間 | tf | - | 300 | ns |
4. 封裝與尺寸
封裝類型:TO-59
尺寸:2.29 mm*8.08 mm*11.10 mm(長(zhǎng)*寬*高)
5. 應(yīng)用領(lǐng)域
2N2880適用于以下領(lǐng)域:
高壓逆變器:用于高效能量轉(zhuǎn)換。
開關(guān)電源:提供快速切換能力。
高頻轉(zhuǎn)換器:適用于高頻電路設(shè)計(jì)。
線路驅(qū)動(dòng)放大器:用于高電壓放大應(yīng)用。
6. 訂購(gòu)信息
2N2880提供多種訂購(gòu)選項(xiàng),包括:
JAN2N2880
JANTX2N2880
JANTXV2N2880
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