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RIC7S113A4功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器

發(fā)布于:2024-04-22 14:35:29

品牌名稱:IR HiRel

重要參數(shù):

VOFFSET (max) = 400 V 

VCC = 10 V to 20 V 

VDD = 5 V to 20 V 

IOUTA/B source/sink (typ) = 2 A / -2 A 

ton (typ) = 120 ns 

Toff (typ) = 100 ns 

MT (typ) = 5 ns

TJ = -55°C to 125°C


  • 產(chǎn)品詳情

RIC7S113:抗輻射高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器,適用于太空等環(huán)境。

功能特點(diǎn):

1. 獨(dú)立高低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,±5V偏置電壓。

2. 節(jié)省空間和重量,無需柵極驅(qū)動(dòng)變壓器。

3. 欠壓鎖定、CMOS施密特觸發(fā)輸入。

4. 匹配傳播延遲、邊沿觸發(fā)、集成電平轉(zhuǎn)換。

5. 密封包裝、抗輻射、單粒子效應(yīng)硬度。

6. 安全工作區(qū)定義、瞬態(tài)抗擾度。

7. 應(yīng)用:衛(wèi)星、功率調(diào)節(jié)、配電、DC-DC轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)。

Orderable part
number
Package typeDevice classTotal ionizing
dose leve
Temperature
range  (℃)
RIC7S113A4SCSFlatpackLevel  S1100krad(Si)-55 to 125
RIC7S113A4SCBFlatpackLevel  B1100krad(Si-55 to 125
RIC7S113A4FlatpackCOTS100krad(Si)-55 to 125
RIC7S113C4CDKDieClass  K1100krad(Si)-55 to 125
RIC7S113C4CDHDieClass  H2100krad(Si-55 to 125
RIC7S113C4CDVDieVisual Inspection Only100krad(Si)-55 to 125
RIC7S113E4SCSLCC CICLevel S'100krad(Si)-55 to 125
RIC7S113E4SCBLCC CICLevel Bl100krad(Si-55 to 125
RIC7S113E4LCC CICCOTS100krad(Si)-55 to 125
RIC7S113L4SCSMO-036AB CICLevel S100krad(Si)-55 to 125
RIC7S113L4SCBMO-036AB CICLevel  B1100krad(Si-55 to 125
RIC7S113L4MO-036AB CICCOTS100krad(Si)-55 to 125
RIC7S113EVAL1Evaluation Board


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