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IKW40N120T2 IGBT芯片

發(fā)布于:2024-01-29 14:09:32

品牌名稱:Infineon英飛凌

重要參數(shù):

功耗:480W

工作溫度:-40°C~175°C

頻率:2 kHz~20 kHz

封裝:PG-TO247-3

  • 產(chǎn)品詳情

1200 V, 40 A IGBT,采用反并聯(lián)二極管,TO-247 封裝

1200 V、40 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT4,采用續(xù)流二極管在 TO247 中封裝,由于結(jié)合了溝槽單元和場終止概念,顯著提高了靜態(tài)和動態(tài)性能。IGBT 和軟恢復(fù)發(fā)射極控制二極管的結(jié)合進(jìn)一步降低了開通損耗。由于開關(guān)和傳導(dǎo)損耗間可實現(xiàn)折衷,因此可實現(xiàn)高效率。


特征描述

更低的傳導(dǎo)損耗實現(xiàn)較低的 VCEsat 壓降

低開關(guān)損耗

由于 VCEsat 中的正溫度系數(shù),因此易于進(jìn)行平行開關(guān)

非常軟且快速恢復(fù)的反平行發(fā)射極控制二極管

具有高魯棒性、溫度穩(wěn)定的行為

低電磁干擾輻射

低柵極電荷

非常嚴(yán)格的參數(shù)分配


優(yōu)勢

高效率 - 得益于低導(dǎo)通和低開關(guān)損耗

600 V 和 1200 V 的全面產(chǎn)品組合可實現(xiàn)設(shè)計的高靈活性

器件可靠性高


參數(shù):


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