Linear Systems 2N4351 N通道增強(qiáng)型MOSFET
發(fā)布時(shí)間:2025-03-31 09:11:10 瀏覽:66
產(chǎn)品名稱
2N4351 N-通道增強(qiáng)型 MOSFET
訂購(gòu)型號(hào):
2N4351 TO-72 4L RoHS
2N4352 TO-72 4L RoHS
2N4351 Die
2N4352 Die
產(chǎn)品特點(diǎn)
直接替代 Intersil 2N4351:兼容 Intersil 的 2N4351 產(chǎn)品。
高漏極電流:最大漏極電流(ID)為 20mA。
高跨導(dǎo)增益:跨導(dǎo)增益(gfs)為 1000μS。
低導(dǎo)通電阻:漏極到源極導(dǎo)通電阻(rds(on))為 300Ω。
低漏電流:漏極泄漏電流(IDSS)為 10nA。
快速開關(guān)特性:
開啟延遲時(shí)間(td(on)):最大 45ns。
開啟上升時(shí)間(tr):最大 65ns。
關(guān)閉延遲時(shí)間(td(off)):最大 60ns。
關(guān)閉下降時(shí)間(tf):最大 100ns。
絕對(duì)最大額定值(25°C 時(shí))
符號(hào) | 特性 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | 條件 |
BVDSS | 漏極到源極擊穿電壓 | - | 25 | - | V | ID = 10μA, VGS = 0V |
VDS(on) | 漏極到源極導(dǎo)通電壓 | - | 1 | - | V | ID = 2mA, VGS = 10V |
VGS(th) | 柵極到源極閾值電壓 | 1 | - | 5 | V | VDS = 10V, ID = 10μA |
IGSS | 柵極漏電流 | - | - | ±10 | pA | VGS = ±30V, VDS = 0V |
IDSS | 漏極泄漏電流(關(guān)閉狀態(tài)) | - | - | 10 | nA | VDS = 10V, VGS = 0V |
ID(on) | 漏極電流(導(dǎo)通狀態(tài)) | - | 3 | - | mA | VGS = 10V, VDS = 10V |
gfs | 正向跨導(dǎo)增益 | - | 1000 | - | μS | VDS = 10V, ID = 2mA, f = 1kHz |
rds(on) | 漏極到源極導(dǎo)通電阻 | - | 300 | - | Ω | VGS = 10V, ID = 100μA, f = 1kHz |
Crss | 反向傳輸電容 | - | 1.3 | - | pF | VDS = 0V, VGS = 0V, f = 140kHz |
Ciss | 輸入電容 | - | 5 | - | pF | VDS = 10V, VGS = 0V, f = 140kHz |
Cdb | 漏極到體極電容 | - | 5 | - | pF | VDB = 10V, f = 140kHz |
溫度范圍:
存儲(chǔ)溫度:-55°C 至 +150°C。
工作結(jié)溫:-55°C 至 +150°C。
最大功耗:
連續(xù)功耗:350mW(環(huán)境溫度 25°C)。
最大電流:
漏極到源極電流:20mA。
最大電壓:
漏極到體極電壓:25V。
漏極到源極電壓:25V。
柵極到源極電壓:±30V。
電氣特性(25°C 時(shí))
封裝
封裝類型:TO-72 4 引腳封裝。
應(yīng)用場(chǎng)景
2N4351 是一款高性能的 N-通道增強(qiáng)型 MOSFET,適用于以下場(chǎng)景:
開關(guān)電源:高效率的開關(guān)元件。
信號(hào)處理電路:低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性使其適合高頻信號(hào)處理。
模擬開關(guān):低漏電流和高跨導(dǎo)增益使其適合高精度模擬電路。
保護(hù)電路:快速開關(guān)特性可用于過流保護(hù)和短路保護(hù)。
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