IRLML6401TRPBF:12V單通道P溝道功率MOSFET
發(fā)布時間:2024-11-08 09:15:26 瀏覽:327
IRLML6401TRPBF是由英飛凌科技推出的12V單P溝道功率MOSFET,采用微型3(SOT-23)封裝,是專為低功耗和低頻率應用設計的高效能半導體器件。以下是該產品的詳細特點和優(yōu)勢:
產品特點:
平面單元結構:提供寬廣的安全工作區(qū)域(SOA),增強了器件的可靠性和耐用性。
廣泛可用性:針對分銷合作伙伴優(yōu)化,確保了產品的可獲得性。
JEDEC標準認證:按照電子行業(yè)標準進行產品認證,保證了產品的質量和一致性。
硅片優(yōu)化:特別優(yōu)化用于低于100kHz的開關應用,確保了在低頻條件下的高性能。
行業(yè)標準封裝:采用行業(yè)標準的表面貼裝封裝,便于自動化裝配和設計替換。
產品優(yōu)勢:
增強的魯棒性:設計上注重提高器件的耐用性和可靠性。
廣泛的分銷網絡:確保了產品的廣泛可獲得性。
行業(yè)標準的認證:提供了符合行業(yè)標準的認證水平。
低頻應用中的高性能:在低頻開關應用中表現(xiàn)出色。
直接替換能力:標準的引腳排列允許直接替換其他兼容器件。
潛在應用:
DC開關:適用于直流電路中的開關控制。
負載開關:用于控制電氣負載的開啟和關閉。
技術規(guī)格:
最大漏極電流(@25°C):-4.3 A
潮濕敏感度等級:1級
安裝類型:表面貼裝(SMD)
最大功耗(@TA=25°C):1.3 W
封裝類型:SOT-23
極性:P溝道
門極電荷(@4.5V):典型值10 nC
門極-漏極電荷:2.6 nC
導通電阻(@4.5V):最大50 mΩ
熱阻(JA):最大100 K/W
特色功能:小功率
最大結溫:150°C
最大漏源電壓:-12 V
門源電壓閾值:最小-0.55 V,最大-0.95 V至-0.4 V
門極電壓:最大8 V
IRLML6401TRPBF以其高性能、可靠性和易于集成的特點,非常適合用于各種低功耗和低頻率的開關應用,如電源管理、電機控制和電池供電設備。深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,優(yōu)勢分銷Infineon英飛凌部分產品線,快速交付,歡迎聯(lián)系。
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隨著數(shù)據傳輸速率的提高,抖動的干擾越發(fā)重要,成本預算越發(fā)短缺。抖動是數(shù)據的定期事件和其理想化位置偏差。抖動比較復雜,由任意抖動(RJ)和確定性抖動(DJ)組成。
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