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Infineon英飛凌IRF7309TRPBF功率MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2024-08-26 10:02:03     瀏覽:274

  IRF7309TRPBF是一款由IR公司生產(chǎn)的第五代HEXFET?功率MOSFET,它采用了先進(jìn)的處理技術(shù),旨在實(shí)現(xiàn)超低的導(dǎo)通電阻,從而在單位硅面積上達(dá)到盡可能低的電阻值。這款器件具有優(yōu)越的速度開(kāi)關(guān)性能和強(qiáng)健的設(shè)計(jì),使其成為眾多應(yīng)用中的高效設(shè)備。

Infineon英飛凌IRF7309TRPBF功率MOSFET

  主要特點(diǎn):

  第五代技術(shù):利用最新的技術(shù)進(jìn)步,提供優(yōu)化的性能。

  超低導(dǎo)通電阻:N溝道為0.050Ω,P溝道為0.10Ω,有助于減少功率損耗。

  雙N溝道和P溝道MOSFET:在一個(gè)封裝內(nèi)集成了兩種類型的MOSFET,方便設(shè)計(jì)。

  表面貼裝:適用于自動(dòng)化組裝,提高生產(chǎn)效率。

  提供卷帶包裝:便于大規(guī)模生產(chǎn)中的連續(xù)供應(yīng)。

  動(dòng)態(tài)dv/dt等級(jí):能夠處理快速的電壓變化率,提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

  快速切換:快速開(kāi)關(guān)特性有助于提高系統(tǒng)效率。

  無(wú)鉛:符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn),減少對(duì)環(huán)境的影響。

  封裝類型:

  SO-8封裝:標(biāo)準(zhǔn)的表面貼裝封裝,適用于多種電路板設(shè)計(jì)。

參數(shù):

ParametricsIRF7309
ID (@25°C)   max4 A ; -3 A
Moisture Sensitivity Level1
Ptot (@ TA=25°C)   max1.4 W
PackageSO-8
PolarityN+P
QG (typ @4.5V)16.7 nC ; 16.7 nC
Qgd (typ)5.3 nC ; 6 nC
RDS (on) (@4.5V)   max80 m? ; 160 m?
RDS (on) (@10V)   max50 m? ; 100 m?
RthJA   max90 K/W
Tj   max150 °C
VDS   max30 V ; -30 V
VGS(th)   min-1 V ; 1 V
VGS   max20 V

IR HiRel原為美國(guó)知名半導(dǎo)體品牌,現(xiàn)被Infineon收購(gòu)。深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,優(yōu)勢(shì)渠道供貨IR高可靠性系列產(chǎn)品,歡迎各界前來(lái)咨詢。

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