Linear Systems 3N165/3N166單片雙P通道MOSFET
發(fā)布時(shí)間:2024-08-05 09:13:13 瀏覽:329
Linear Systems 3N165和3N166是單片雙P通道增強(qiáng)型MOSFET,具有以下特點(diǎn)和應(yīng)用優(yōu)勢:
主要特點(diǎn)
高輸入阻抗:這使得它們非常適合需要高阻抗輸入的應(yīng)用,減少了對前級電路的影響。
高柵極擊穿電壓:允許在更高的電壓下工作,增強(qiáng)了器件的可靠性和適用范圍。
超低泄漏電流:在關(guān)閉狀態(tài)下幾乎不消耗電流,這對于低功耗和精密測量應(yīng)用至關(guān)重要。
低電容:有助于減少信號延遲和失真,提高信號處理的精確度。
應(yīng)用場景
模擬信號處理:由于其高輸入阻抗和低泄漏特性,非常適合用于放大器、濾波器和其他模擬信號處理電路。
精密測量儀器:在需要高精度測量和低噪聲的環(huán)境中,這些MOSFET可以提供穩(wěn)定和可靠的性能。
高電壓操作:在需要處理高電壓信號的應(yīng)用中,如電源管理和電壓轉(zhuǎn)換器,這些器件可以安全可靠地工作。
封裝和引腳配置
SOIC封裝:適合表面貼裝技術(shù),便于自動(dòng)化生產(chǎn)。
- 引腳配置:NC, G2, G1, D1, Body, D2, NC
TO-99封裝:傳統(tǒng)的通孔封裝,適用于需要更高散熱能力的應(yīng)用。
- 引腳配置:Case & Body, G2, G1, S1 & S2, D1, NC, D2, NC
規(guī)格參數(shù):
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ and Ves=0 unless otherwise noted) | |||||||
SYMBOL | CHARACTERISTIC | 3N165 & 3N166 | LS3N165 & LS3N166 | UNITS | CONDITIONS | ||
MIN | MAX | MIN | MAX | ||||
IGs5R | Gate Reverse Leakage Current | 10 | 100 | pA | VGs=40V | ||
lcssF | Gate Forward Leakage Current | -10 | 100 | Vgs=-40V | |||
25 | TA=+125℃ | ||||||
pss | Drain to Source Leakage Current | 200 | 200 | Vos=-20V,Vgs=Ves=0V | |||
IsDs | Source to Drain Leakage Current | 400 | 400 | Vso=-20V,VGp=VDB=0V | |||
D(on) | On Drain Current | -5 | 30 | -5 | -30 | mA | Vos=-15V VGs=-10V Vss=0V |
Vosoh | Gate Source Threshold Voltage | -2 | -5 | -2 | -5 | V | Vos=-15V lo=-10μA Vsg=0V |
VGsm | Gate Source Threshold Voltage | -2 | -5 | -2 | -5 | V | Vos=Vgs lo=-10μA Vsa=0V |
Ds(on | Drain Source ON Resistance | 300 | 300 | ohms | Vgs=-20V lo=-100μA Vsa=0V | ||
gis | ForwardTransconductance | 1500 | 3000 | 1500 | 3000 | μS | Vos=-15V lo=-10mA f=1kHz Vse=0V |
gos | Output Admittance | 300 | 300 | μS | |||
Cs | Input Capacitance | 3.0 | 3.0 | pF | Vos=-15V lo=-10mA f=1MHz (NOTE 3)Vsa=0V | ||
Css | Reverse Transfer Capacitance | 0.7 | 1.0 | ||||
Coss | Output Capacitance | 3.0 | 3.0 | ||||
RE(Ys) | Common Source Forward Transconductance | 1200 | μS | Vos=-15V lo=-10mA f=100MHz (NOTE 3)Vsa=0V |
Linear Systems 3N165和3N166單片雙P通道MOSFET因其高輸入阻抗、高柵極擊穿電壓、超低泄漏電流和低電容特性,在模擬信號處理和精密測量領(lǐng)域中表現(xiàn)出色。無論是SOIC還是TO-99封裝,都提供了靈活的選擇,以適應(yīng)不同的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)需求。
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