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Linear Systems 3N165/3N166單片雙P通道MOSFET

發(fā)布時(shí)間：2024-08-05 09:13:13     瀏覽：329

Linear Systems 3N165/3N166單片雙P通道MOSFET

　　Linear Systems 3N165和3N166是單片雙P通道增強(qiáng)型MOSFET，具有以下特點(diǎn)和應(yīng)用優(yōu)勢：

　　主要特點(diǎn)

　　高輸入阻抗：這使得它們非常適合需要高阻抗輸入的應(yīng)用，減少了對前級電路的影響。

　　高柵極擊穿電壓：允許在更高的電壓下工作，增強(qiáng)了器件的可靠性和適用范圍。

　　超低泄漏電流：在關(guān)閉狀態(tài)下幾乎不消耗電流，這對于低功耗和精密測量應(yīng)用至關(guān)重要。

　　低電容：有助于減少信號延遲和失真，提高信號處理的精確度。

　　應(yīng)用場景

　　模擬信號處理：由于其高輸入阻抗和低泄漏特性，非常適合用于放大器、濾波器和其他模擬信號處理電路。

　　精密測量儀器：在需要高精度測量和低噪聲的環(huán)境中，這些MOSFET可以提供穩(wěn)定和可靠的性能。

　　高電壓操作：在需要處理高電壓信號的應(yīng)用中，如電源管理和電壓轉(zhuǎn)換器，這些器件可以安全可靠地工作。

　　封裝和引腳配置

　　SOIC封裝：適合表面貼裝技術(shù)，便于自動(dòng)化生產(chǎn)。

　　- 引腳配置：NC, G2, G1, D1, Body, D2, NC

　　TO-99封裝：傳統(tǒng)的通孔封裝，適用于需要更高散熱能力的應(yīng)用。

　　- 引腳配置：Case & Body, G2, G1, S1 & S2, D1, NC, D2, NC

規(guī)格參數(shù)：

   ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ and Ves=0 unless otherwise noted)
SYMBOLCHARACTERISTIC3N165 &
3N166		LS3N165 &
LS3N166		UNITSCONDITIONS
MINMAXMINMAX
IGs5RGate Reverse Leakage Current
10 
100 pAVGs=40V
lcssFGate Forward Leakage Current
-10 
100 Vgs=-40V

25 

TA=+125℃
pssDrain to Source Leakage Current
200 
200 Vos=-20V,Vgs=Ves=0V
IsDsSource to Drain Leakage Current
400 
400 Vso=-20V,VGp=VDB=0V
D(on)On Drain Current-5 30 -5 -30 mAVos=-15V VGs=-10V Vss=0V
VosohGate Source Threshold Voltage-2 -5 -2 -5 VVos=-15V lo=-10μA  Vsg=0V
VGsmGate Source Threshold Voltage-2 -5 -2 -5 VVos=Vgs  lo=-10μA Vsa=0V
Ds(onDrain Source ON Resistance
300 
300 ohmsVgs=-20V lo=-100μA Vsa=0V
gisForwardTransconductance1500 3000 1500 3000 μSVos=-15V lo=-10mA f=1kHz
          Vse=0V
gosOutput Admittance
300 
300 μS
CsInput Capacitance
3.0 
3.0 pF
Vos=-15V lo=-10mA f=1MHz
(NOTE  3)Vsa=0V
CssReverse Transfer Capacitance
0.7 
1.0 
CossOutput Capacitance
3.0 
3.0 
RE(Ys)Common Source Forward
Transconductance		1200 


μSVos=-15V lo=-10mA f=100MHz
(NOTE  3)Vsa=0V

　　Linear Systems 3N165和3N166單片雙P通道MOSFET因其高輸入阻抗、高柵極擊穿電壓、超低泄漏電流和低電容特性，在模擬信號處理和精密測量領(lǐng)域中表現(xiàn)出色。無論是SOIC還是TO-99封裝，都提供了靈活的選擇，以適應(yīng)不同的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)需求。

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