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  Solitron 2N5911/2N5912雙通道N溝道JFET 2024-06-18 09:08:59

  Solitron 2N5911/2N5912雙通道N溝道JFET專為寬帶差分放大器設(shè)計(jì)，采用TO-78封裝，適用于軍事應(yīng)用，提供定制規(guī)格和匹配包裝選項(xiàng)。特點(diǎn)包括低噪聲水平（4.0 nV/√Hz）、低漏電流（小于10pA）和低輸入電容（5.0 pF）。這些特性使其在需要高性能、低噪聲和低漏電流的應(yīng)用中表現(xiàn)出色，尤其適合精確的寬帶差分放大器。如需更多信息或定制需求，請(qǐng)直接聯(lián)系工廠。

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  BF998E6327HTSA1硅N溝道MOSFET射頻放大器Infineon英飛凌 2024-07-01 09:26:24

  BF998E6327HTSA1是英飛凌硅N溝道MOSFET射頻放大器，專為射頻環(huán)境設(shè)計(jì)，適用于放大和切換電子信號(hào)。其最大功耗200 mW、工作溫度范圍-55 °C至150 °C、最大頻率1000 MHz,應(yīng)用領(lǐng)域包括機(jī)頂盒、電視和車載收音機(jī)。電氣參數(shù)包括門輸入電容2.1 pF、輸出電容1.1 pF、正向跨導(dǎo)24 mS、功率增益20 dB @ 800 MHz、最大連續(xù)漏電流30 mA、最大漏源電壓12 V、噪聲系數(shù)1.80 dB @ 800 MHz、總功耗200 mW。封裝類型為SOT143。