Infineon英飛凌高功率600V/650V碳化硅二極管
發(fā)布時間:2023-12-11 09:48:31 瀏覽:607
Infineon是一家知名的半導體公司,而碳化硅(SiC)二極管是一種高功率的半導體器件。英飛凌公司生產的600V和650V碳化硅二極管,面向18kHz和100kHz開關頻率區(qū)間高效應用,能提供更高的開關速度和更低的開關損耗。
碳化硅具有較高的電子飽和漂移速度和熱導率,并且能夠在高溫環(huán)境下工作。這使得碳化硅二極管可以在高頻率開關和高溫條件下實現(xiàn)更高的效率和性能。Infineon的碳化硅二極管產品具有低導通和開關損耗、高溫穩(wěn)定性、低開關噪聲和更高的功率密度。他們廣泛應用于電力轉換、電動汽車、可再生能源和工業(yè)領域等高功率應用中。
在使用Infineon的碳化硅二極管之前,建議您詳細了解產品規(guī)格和特性以確保其適用于您的具體應用需求,也可以咨詢立維創(chuàng)展。
產品選型
600 V / 1200 V 超軟:
IDP12E120 | IDW50E60 | IDB18E120 | IDP45E60 |
IDB30E120 | IDW75E60 | IDB30E60 | IDP15E60 |
IDP30E120 | IDW100E60 | IDB15E60 | IDP30E60 |
IDP18E120 | IDW30E60 |
650V Rapid 1和Rapid 2二極管:
IDWD120E65E7 | IDW30E65D1 | IDW80C65D1 | IDP40E65D2 |
IDWD100E65E7 | IDP15E65D1 | IDW30C65D1 | IDP15E65D2 |
IDWD150E65E7 | IDW40E65D1 | IDFW40E65D1E | IDP30E65D2 |
IDWD50E65E7 | IDP08E65D1 | IDFW60C65D1 | IDP30C65D2 |
IDWD20E65E7 | IDV20E65D1 | IDV08E65D2 | IDP20C65D2 |
IDWD40E65E7 | IDP30E65D1 | IDW15E65D2 | IDV30E65D2 |
IDWD30E65E7 | IDFW80C65D1 | IDP08E65D2 | IDP20E65D2 |
IDWD75E65E7 | IDW60C65D1 | IDV15E65D2 | IDW80C65D2 |
IDWD60E65E7 | IDW75D65D1 | IDW40E65D2 | IDW20C65D2 |
IDW30C65D2 |
英飛凌650V Rapid 1及Rapid 2功率二極管是對600V與650V區(qū)間高功率二極管產品序列的補充,填補了碳化硅(SiC)二極管和發(fā)射極控制二極管之間的空白,是面向超快速和極快速功率二極管市場的優(yōu)秀產品。全新的極速和超高速二極管系列產品為客戶提供無與倫比的效率、可靠性及性價比。額外的50V確保了更高的可靠性。
650V Rapid 1二極管
英飛凌的Rapid 1二極管系列擁有溫度特性穩(wěn)定的1.35V正向電壓 (VF),確保導通損耗最低并且通過軟恢復的方式使EMI輻射降至最小。該器件非常適用于功率因數(shù)校正(PFC)的拓撲結構,該結構常見于家用電器,比如空調和洗衣機。
650V Rapid 2二極管
Rapid 2二極管系列專門針對頻率介于40kHz和100kHz區(qū)間的應用設計,提供最低的反向恢復電荷(Qrr)和反向恢復時間(trr),最大限度地縮短導致功率開關導通損耗的反向導通時間,從而使效率達到最高。
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