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 電壓（內(nèi)核和 I/O）

 1.8V

 1.5V

 降低內(nèi)存系統(tǒng)電源需求

 標(biāo)準(zhǔn)低壓選項(xiàng)

 不

 是 (1.35V)

 提供與 1.5V 標(biāo)準(zhǔn) DDR3 匹配的低電壓 DDR2

 密度（生產(chǎn)）

 256Mb 至 4Gb

 1Gb 至 4Gb

 高密度組件以更少的芯片數(shù)量實(shí)現(xiàn)大內(nèi)存子系統(tǒng)

 預(yù)取（MIN WRITE 突發(fā)）

 4 位

 8 位

 降低核心速度依賴性以提高產(chǎn)量

 t CK - DLL 已啟用

 125 兆赫至 400 兆赫

 300 兆赫至 800 兆赫

 支持更高的數(shù)據(jù)速率

 數(shù)據(jù)速率（每針 MT/s）

 533、667、800 Mb/s

 800,1066,1333,1600 Mb/s

 遷移到更高的數(shù)據(jù)帶寬

 突發(fā)長度 (BL)

 BL4、BL8

 BC4、BL8

 BC4 減輕了一些“BL8”要求

 突發(fā)類型

 固定，通過 LMR

 (1) 固定，通過 MRS
 (2) OTF，“即時(shí)”

 OTF 允許在沒有 MRS 命令的情況下在 BC4 和 BL8 之間切換

 數(shù)據(jù)選通

 差分或單端

 僅差速器

 通過減少選通串?dāng)_提高系統(tǒng)時(shí)序裕度

 ODT（芯片端接）

 R TT : 50, 75, 150 歐姆

 R T T : 20,30,40,60,120 歐姆

 更多 ODT 選項(xiàng)可提高信號保真度并支持更高的數(shù)據(jù)速率

 動態(tài) ODT

 沒有任何

 120, 60 歐姆

 改進(jìn)了多個(gè)時(shí)隙中的信令；點(diǎn)對點(diǎn)應(yīng)用中的引腳減少

 DQ 驅(qū)動器阻抗

 18 歐姆

 34 歐姆

 針對 2 插槽和點(diǎn)對點(diǎn)系統(tǒng)進(jìn)行了優(yōu)化

 驅(qū)動器/ODT 校準(zhǔn)

 沒有任何

 外接電阻

 提高電壓和溫度范圍內(nèi)的精度

 多用途寄存器 (MPR)

 沒有任何

 四個(gè)寄存器 - 1 個(gè)定義 3 個(gè) RFU

 支持讀取校準(zhǔn)

 寫調(diào)平

 沒有任何

 DQS 捕獲 CK，DQ
驅(qū)出 CK 的狀態(tài)

 校正模塊使用的飛越布局

 模塊

 240 針 SODIMM（無緩沖、寄存、全緩沖）
 200 針 SODIMM

 240 針 UDIMM；RDIMM、FBDIMM 待定；
 204 針 SODIMM

 改進(jìn)的布局、更多的外形和供電設(shè)計(jì)；DDR3 也采用了 fly-by 架構(gòu)

 芯片組支持

Legacy

 最新的

 較新的芯片組功能

 附加延遲

 是的

 是的

 具有 CAS 延遲的曲目