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ADI晶圓半導(dǎo)體市場(chǎng)份額

發(fā)布時(shí)間：2021-03-02 17:07:09     瀏覽：1824

20世紀(jì)90年代以來(lái)，出現(xiàn)了以砷化鎵（GaAs）和磷化銦（INP）為代表的第二代半導(dǎo)體器件。GaAs、InP等原材料適用于制作高速、高頻、大功率和發(fā)光的電子元器件。它們是生產(chǎn)制造性能卓越微波、毫米波元器件和發(fā)光元器件的優(yōu)良原材料。廣泛運(yùn)用于衛(wèi)星通訊、移動(dòng)通信技術(shù)、光纖通信、GPS導(dǎo)航等各個(gè)領(lǐng)域。殊不知，GaAs和InP原材料稀缺，價(jià)格昂貴，有毒，而且會(huì)造成環(huán)境污染。InP甚至于被認(rèn)為是異常的致癌物質(zhì)。這些缺陷使得第二代半導(dǎo)體器件的應(yīng)用具有相當(dāng)大的局限性。

第三代半導(dǎo)體器件主要包括SiC、Gan等。由于它們的帶隙大于或等于2.3ev，因此 又被稱為寬帶隙半導(dǎo)體器件。與第一代和第二代半導(dǎo)體器件相比，第三代半導(dǎo)體器件具有熱導(dǎo)率高、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、飽和電子漂移率高、鍵合能高等優(yōu)點(diǎn)，能夠滿足現(xiàn)代化電子技術(shù)對(duì)高溫的新規(guī)定，高功率、高電壓、高頻、抗輻射。它們是半導(dǎo)體器件各個(gè)領(lǐng)域最有前途的原材料，在航空航天、石油勘探、光存儲(chǔ)等各個(gè)領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用前景。在寬帶通信、太陽(yáng)能、汽車制造、半導(dǎo)體照明、智能電網(wǎng)等眾多戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)中，能量耗損可降低50%以上，機(jī)器設(shè)備體積可降低75%以上，是人類科學(xué)技術(shù)發(fā)展的里程碑。

ADI又稱亞德諾半導(dǎo)體，是全世界設(shè)計(jì)，生產(chǎn)制造和銷售高性能模擬，混合信號(hào)和數(shù)字信號(hào)處理（DSP ）集成電路集成電路（IC ）的領(lǐng)先企業(yè)。ADI擁有世界上最好的模擬芯片技術(shù)和廣泛的芯片設(shè)計(jì)專利。其晶圓產(chǎn)品通常采用高可靠性的產(chǎn)品包裝。

深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司，優(yōu)勢(shì)渠道提供ADI晶圓產(chǎn)品華夫格，專業(yè)通道，歡迎合作。

詳情了解ADI Wafer產(chǎn)品請(qǐng)點(diǎn)擊：http : ///public/brand/68.html

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High Cmn mode Vltg Diff Amp ( die only)

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High Temp InAmp, 210C, U-Low Noise

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50MHz FET input op amp

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High Speed, Low Power Dual Op Amp

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IC 35MHZ CBFETOP-AMP CHP

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AD843SCHIPS

34 MHz, CBFET Fast Settling Op Amp

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AD844ACHIPS

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60 MHz, 2000 V/μms Op Amp

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2.7/5V, CMOS, OP, Low Noise, RRIO, 4X

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