IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管
發(fā)布時(shí)間:2021-02-22 17:15:14 瀏覽:1054
IR-HiRel氮化鎵(GaN)比硅具有根本的優(yōu)勢(shì)。特別是高臨界電場(chǎng)使得GaN-HEMTs成為功率半導(dǎo)體器件的研究熱點(diǎn)。與硅MOSFET相比,GaN-HEMTs具有優(yōu)異的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻和較小的電容,非常適合于高速開關(guān)。IR-HiRel不僅節(jié)省了功率,降低了系統(tǒng)的整體成本,而且允許更高的工作頻率,提高了功率密度和系統(tǒng)的整體效率。
IR-HiRel GaN功率晶體管最重要的特性是其反向恢復(fù)性能。因?yàn)?/span>IR HiRe的CoolGaN? 晶體管沒有少數(shù)載流子和體二極管,所以它們沒有反向恢復(fù)。
使用
IR-HiRel系列在許多應(yīng)用中給各種系統(tǒng)帶來(lái)了可觀的價(jià)值。這些e-mode HEMTs針對(duì)服務(wù)器和消費(fèi)類工業(yè)應(yīng)用,具有市場(chǎng)上最強(qiáng)大和性能概念,例如服務(wù)器、數(shù)據(jù)通信、電信、適配器/充電器、無(wú)線充電和音頻。
在高功率應(yīng)用中使用IR-HiRel的CoolGaN? 服務(wù)器電源和電信應(yīng)用程序可以節(jié)省成本并增加每個(gè)機(jī)架的電源。由于其硬開關(guān)功能,它還允許更簡(jiǎn)單的控制方案和提高效率相比,下一個(gè)最好的硅替代品。
GaN技術(shù)在適配器和充電器電源方面的突破是功率密度小、重量輕、效率高的解決方案。用IR-HiRel實(shí)現(xiàn)CoolGaN? 無(wú)線功率傳輸可以在更高的功率水平上實(shí)現(xiàn)高效率,實(shí)現(xiàn)E級(jí)設(shè)計(jì)中的最佳調(diào)節(jié)。
CoolGaN? 400V設(shè)備D級(jí)音頻最大限度地提高音頻性能,提供卓越的音質(zhì)。此外,幾乎沒有熱設(shè)計(jì)限制,它非常易于使用,并與IR HiRel的ERU兼容? D類音頻放大器兼容。
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Product | Package name | Technology | VDS max [V] | RDS (on) max [?] | QG [C] | Mounting | OPN | ID max [A] | IDpuls max [A] | ID @25°C max [A] |
IGT60R070D1 | PG-HSOF-8 | CoolGaN? | 600 | 70 | 5.8 | SMT | IGT60R070D1ATMA1 | 31 | 60 | 31 |
IGOT60R070D1 | PG-DSO-20 | CoolGaN? | 600 | 70 | 5.8 | SMT | IGOT60R070D1AUMA1 | 31 | 60 | 31 |
IGLD60R070D1 | PG-LSON-8 | CoolGaN? | 600 | 70 | 5.8 | SMT | IGLD60R070D1AUMA1 | 15 | 60 | 15 |
IGO60R070D1 | PG-DSO-20 | CoolGaN? | 600 | 70 | 5.8 | SMT | IGO60R070D1AUMA1 | 31 | 60 | 31 |
IGT40R070D1 E8220 | PG-HSOF-8 | CoolGaN? | 400 | 70 | 4.5 | SMT | IGT40R070D1E8220ATMA1 | 31 | 60 | 31 |
IGLD60R190D1 | PG-LSON-8 | CoolGaN? | 600 | 190 | 3.2 | SMT | IGLD60R190D1AUMA1 | 10 | 23 | 10 |
IGT60R190D1S | PG-HSOF-8 | CoolGaN? | 600 | 190 | 3.2 | SMT | IGT60R190D1SATMA1 | 12.5 | 23 | 12.5 |
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